АНАЛИЗ ОТКАЗОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ КОНТРОЛЕ РАБОТОСПОСОБНОСТИ УСТРОЙСТВА ПО КОСВЕННЫМ ПАРАМЕТРАМ 

Максим Леонидович Савин, и. о. директора, Мытищинский научно-исследовательский институт радиоизмерительных приборов (Россия, Московская обл., г. Мытищи, ул. Колпакова, 2А), E-mail: savin@mniirip.ru
Алексей Константинович Гришко, кандидат технических наук, доцент, доцент кафедры конструирования и производства радиоаппаратуры, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: alexey-grishko@rambler.ru
Вячеслав Дмитриевич Зуев, кандидат технических наук, генеральный директор, Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов (Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44), E-mail: vdzuev@yandex.ru
Игорь Иванович Кочегаров, кандидат технических наук, доцент, доцент кафедры конструирования и производства радиоаппаратуры, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: kipra@mail.ru
Елена Михайловна Соловьева, магистрант, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: kipra@pnzgu.ru 

Актуальность и цели. По результатам анализа отказов электроники, 90 % отказов происходят по весьма ограниченному количеству типов отказавших составных компонентов. Возможные причины отказов этих типов компонентов легко поддаются анализу. В работе рассматриваются широко применяемые в современной аппаратуре элементы – полевые транзисторы. Проводится анализ статистических данных по причинам отказов, направленный на определение работоспособного состояния устройства. Материалы и методы. Для решения поставленных задач применяются методы системного анализа, теории надежности, физики полупроводников. Результаты. В условиях стабильного режима работы (постоянная частота переключения, скважность, протекающий ток, температура окружающей среды) температура транзистора может использоваться как параметр, отражающий сопротивление канала и другие деградационные процессы (увеличение тока утечки, увеличение длительности процесса переключения). При этом необходимо учитывать зависимость сопротивления канала от температуры. Выводы. На основе приведенных в работе данных при разработке устройств целесообразно создавать систему регистрации ключевых параметров, позволяющую в режиме реального времени отслеживать условия эксплуатации и с их учетом прогнозировать остаточный ресурс электронного блока. 

Ключевые слова

отказ, надежность, температура, транзистор, ресурс, модель 

 Скачать статью в формате PDF

Для цитирования:

Савин М. Л., Гришко А. К., Зуев В. Д., Кочегаров И. И., Соловьева Е. М. Анализ отказов полевых транзисторов при контроле работоспособности устройства по косвенным параметрам // Надежность и качество сложных систем. 2022. № 1. С. 91–97. doi:10.21685/2307-4205-2022-1-10