УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ВСТРОЕННОЙ СХЕМЫ
ТЕРМОКОМПЕНСАЦИИ ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ 

Станислав Григорьевич Семенцов, доктор технических наук, доцент, профессор кафедры проектирования и технологии производства электронной аппаратуры, Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана (Россия, г. Москва, ул. 2-я Бауманская, 5), E-mail: siemens_off@mail.ru
Арина Александровна Адамова, кандидат технических наук, доцент, доцент кафедры проектирования и технологии производства электронной аппаратуры, Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана (Россия, г. Москва, ул. 2-я Бауманская, 5), E-mail: aadamova@bmstu.ru 

Аннотация

Актуальность и цели. Рассматриваются интегральные пъезорезистивные преобразователи на базе монокристаллического кремния. Анализируется работа встроенной схемы термокомпенсации с дополнительными терморезисторами и особенности ее работы. Материалы и методы. Рассматривается применимость терморезисторов с положительным и отрицательным температурным коэффициентом сопротивления для улучшения параметров схемы термокомпенсации. Результаты и выводы. Проведено схемотехническое моделирование усовершенствованной схемы термокомпенсации в широком температурном диапазоне. Показаны преимущества усовершенствованной схемы термокомпенсации. 

Ключевые слова

температурная погрешность, измерительный мост, пьезорезистивный преобразователь, монокристаллический кремний, ИПД-интегральный преобразователь давления 

 Скачать статью в формате PDF

Для цитирования:

Семенцов С. Г., Адамова А. А. Усовершенствование встроенной схемы термокомпенсации пьезорезистивных датчиков давления // Надежность и качество сложных систем. 2024. № 2. С. 52–58. doi: 10.21685/2307-4205-2024-2-5