Исследование качества и надежности тонких пленок сегнетоэлектриков на кремниевой подкладке

Воронов Сергей Александрович, доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой прикладной физики, Киевский политехнический институт, Национальный технический университет Украины (03056, Украина, г. Киев, проспект Победы, 37), s.voronov@kpi.ua
Гордийко Наталия Александровна, кандидат технических наук, доцент, кафедра прикладной физики, Киевский политехнический институт, Национальный технический университет Украины (03056, Украина, г. Киев, проспект Победы, 37), nataly-gor2@yandex.ua
Богорош Александр Терентьевич, доктор технических наук, профессор, кафедра прикладной физики, Киевский политехнический институт, Национальный технический университет Украины (03056, Украина, г. Киев, проспект Победы, 37),  bogoroshа@mail.ru
Шайко-Шайковский Александр Геннадиевич, доктор технических наук, профессор, кафедра профессионального и технологического образования и общей физики, Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, (58012, Украина, г. Черновцы, ул. Коцюбинского, 2), shayko@bk.ru

621.315.61

DOI

10.21685/2307-4205-2016-4-9

Получены и изучены сегнетоэлектрические (СЭ) пленки PbTiO3, нанесенные на диски из монокристаллического кремния Si (100). Рентгенографические и электронно-микроскопические исследования показали, что исследуемые пленки характеризуются ограниченной текстурой со структурой перовскита. Продемонстрирована возможность использования полученных пленок как регистрирующих сред энергонезависимых перезаписывающих носителей информации.

Ключевые слова

сегнетоэлектрические, монокристаллические пленки, память, носители информации

 Скачать статью в формате PDF

1. Мясников, Э. Н. Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках BST на кремниевой основе / Э. Н. Мясников, С. В. Толстоухов, К. Ю. Фроленков // Физика твердого тела. – 2004. – Т. 46, вып. 12. –С. 2193–2199.
2. Мухортов, В. М. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение / В. М. Мухортов, Ю. И. Юзюк. – Ростов н/Д : ЮНЦ РАН, 2008. – 224с.
3. Воротилов, К. А. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / К. А. Воротилов, В. М. Мухортов, А. С. Сигов ; под ред. чл.-корр. РАН А. С. Сигова. – М. : Энергоатомиздат, 2011. – 175 с.
4. Особенности рор-спектроскопии тонких пленок перовскитов / М. С. Афанасьев, А. В. Буров, В. К. Егоров, П. А. Лучников, Г. В. Чучева // Вестник науки Сибири. – 2012. – № 1 (2). – С. 126–133.
5. Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов / Г. И. Клето, Я. В. Мартынюк, А. И. Савчук, В. Н. Стребежев, Ю. К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies. – 2009. – Т. 7, № 1. – С. 65–71.
6. Parameters of Domain Boundaries in Thin PbTiO3 Films / A. S. Sidorkin, L. P. Nesterenko, A. L. Smirnov, G. L. Smirnov, A. A. Sidorkin and S. V. Ryabtsev // Ferroelectrics. – 2007. – Vol. 359, № 1–6. –P. 341–343.
7. Microstructure and enhanced in-plane ferroelectricity of Ba0.7Sr0.3TiO3 thin films grown on MgAl2O4 (001) single-crystal substrate / X. Y. Zhou, T. H. Heindl, G. K. Pang, J. Miao, R. K. Zheng, H. L. W. Chan,C. L. Choy, Y. Wang // Appl. Phys. Lett. – 2006. – Vol. 89. – P. 232906-1–2906-3.66
8. Raman spectroscopy studies of Ce-doping effects on Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films / S. Y. Wang, B. L. Cheng,
C. Wang, S. Y. Dai, K. J. Jin, Y. L. Zhou, H. B. Lu, Z. H. Chen, G. Z. Yang // J. Appl. Phys. – 2006. –Vol. 99. – P. 013504-1–013504-6.